檢索結果：共68筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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本論文研究主要分為兩大部分，第一部份以Ni-YSZ碟型基材作為陽極支撐(anode-supported)，第二部份以YSZ碟型基材作為電解質支撐(electrolyte -supported)，利用…
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近年來，有越來越多人開始投入太陽能電池的研究，因此技術進步的很快，目前研究雖然都有不錯的轉換效率，但由於成本高昂，故一直無法普及，因此找尋新的材料來壓低太陽能電池成本是必需的，然而在各種新材料被研究…
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本研究主旨分為兩個部分，包含VO2 薄膜及V1-XTiXO2 粉末的性質之研究。VO2 主要應用在玻璃上來當作節能的材料；高透光性且具備節能功能的玻璃窗以成為現今重要的主題。第一部分，玻璃基材經由O…
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本研究成功地以真空濺鍍法及硒化退火製備硒化銅鋅錫(CZTSe)吸收層薄膜，並以三種不同的n型薄膜層製備出CZTSe薄膜太陽能電池。首先以銅-鋅-錫金屬靶材進行真空濺鍍CZT薄膜於鍍鉬的鈉玻璃基板上，…
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本研究先利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備出MoSx-Ag薄膜，接著分別以RF磁控濺鍍法以及電化學沉積法進行第二層的披覆改質，主要目的是希望讓酸性電解中有優異析氫能力的MoSx，能夠經第二層表面批…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料，在高功率動作下，元件將被施加更高偏壓，因此，如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構，降…
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本論文研製以具有C軸（002）擇優取向的氧化鋅為壓電材料及以多孔性二氧化矽做為基材取代現今氣隙型的薄膜體聲波振盪器，其結構分別為上電極／氧化鋅壓電薄膜／下電極／多孔性基材。多孔性基材以球磨、混粉…
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隨著半導體製程技術的演進，銅已被廣泛作為內連線材料，由於具有較低的電阻率和較好的抗電致遷移能力。然而，銅與介電層存在著附著力的問題，且低溫下，銅便會與矽產生反應，此銅矽物在IC結構中，會造成元件失效…